基本解释：肖脱基势结型场效应晶体管
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Intrinsic parameters are extracted from functions of MESFETs intrinsic elements by using extrinsic parameters as independent variables.采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 。
schottky barrier gate field effect transistor肖脱基势结型场效应晶体管
enhancement type schottky barrier fet增强型肖特基势垒场效应晶体管
schottky gate fet肖特基势垒栅场效应晶体管
depletion metal schottky fet耗尽型肖特基场效应晶体管
metal schottky fet金属肖特基栅场效应晶体管
self aligned schottky fet自对准肖特基栅场效应晶体管
vertical junction fet垂向结型场效应晶体管
junction gate field effect transistor面结型栅场效应晶体管
junction gate fet结型栅场效应晶体管
junction type field effect transistor面结型场效应晶体管结型场效应晶体管
Schottky emitter type transistor肖特基发射极型晶体管
n channel junction fetn 沟道结型场效应晶体管
enhancement mode junction fet增强型结式场效应晶体管
transistor transistor logic/advanced schottky改进型肖特基晶体管 晶体管逻辑
advanced schottky ttl改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路
normally on fet耗尽型场效应晶体管
normally off fet增强型场效应晶体管
unipolar field effect type transistor单极场效应型晶体管
