基本解释：蚀刻选择比，蚀刻选择性
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Because of its strong selective etching ability, oxygen ions directly decomposed from CH 3OH plays an important role in the sy.经分析认为,等离子体中因甲醇裂解产生的氧离子及含氧基团对无定形碳具有很强的选择性刻蚀能力,为低温合成纳米碳管时提高其纯度创造了条件。
The main problems are the low Etch Rate Selectivity causing Over etch on the top Oxide of Gate and the low Etch Rate Uniformit.18微米技术侧壁(Spacer)工艺在栅极密集区域,栅极底部有斜坡的缺陷,指出了现有设备和工艺所遇到的一些问题,然后针对所面临的主要问题,即因为刻蚀速率选择比不够高而造成对栅极上方氧化膜的过刻蚀,同时,刻蚀速率均匀性偏低,造成中心区域Spacer形状过于倾斜,线宽过小的问题。
